对于双极性晶体管来说，其工作原理是：首先，电源作用于发射结上使得发射结正向偏置，发射区的自由电子不断的流向基区，形成发射极电流；其次，自由电子由发射区流向基区后，先聚集在发射结附近，但随着此处自由电子的增多，。
晶体管的工作原理 当对栅极(G)施加电压的时候，沟道中会聚集有效的电荷，形成一条从源极(S)到漏极(D)导通的通道，晶体管处于开启状态，可以把这种状态解释为“1”。
这样二进制的两个状态就由晶体管的开启和关闭状态表示。
晶体管工作原理- -场效应晶体管 场效应晶体管，英语名称为Field Effect Transistor，简称为场效应管，是一种通过对输入回路电场效应的控制来控制输出回路电流的器件。
可分为结型和绝缘栅型、增强型和耗尽型、N沟道和P沟道，。
mos晶体管，也就是绝缘栅场效应晶体管，又叫金属-氧化物-半导体场效应晶体管，利用半导体的场效应，进行信号放大。
就是利用栅极控制电压形成的电场，来控制沟道里感应电荷的多少，进而改变导电沟道的状态，达到控制漏极电流的。