pn结的形成：在带电薄层中靠近P区一边有不能移动负电荷，在靠近N区一秤沃边有不能移动正电荷，正负电荷的存在在接触面处形成了一个电场，称为内建电场。
其方向是从N区指向P区。
电场两端存在着电位差，称为接触电位差扯。
从PN结的形成原理可以看出,要想让PN结导通形成电流,必须消除其空间电荷区的内部电场的阻力。
很显然,给它加一个反方向的更大的电场,即P区接外加电源的正极,N区结负极,就可以抵消其内部自建电场,使载流子可以继续运动,从而形成线性的正向。
一块半导体晶体一侧掺杂成P型半导体，另一侧掺杂成N型半导体，中间二者相连的接触面称为PN结（英语：pn junction）。
PN结是电子技术中许多元件，例如半导体二极管、双极性晶体管的物质基础。
采用一些特殊的工艺（见本条目后面的段。
PN结的形成：在P型半导体和N型半导体结合后，由于N型区内自由电子为多子，空穴几乎为零称为少子，而P型区内空穴为多子，自由电子为少子，在它们的交界处就出现了电子和空穴的浓度差。
由于自由电子和空穴浓度差的原因，有。
这就是PN结的单向导电性。
PN结加反向电压时 ，空间电荷区变宽 ， 区中电场增强。
反向电压增大到一定程度时，反向电流将突然增大。
如果外电路不能限制电流，则电流会大到将PN结烧毁。
反向电流突然增大时的电压称击穿电压。
基本。